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申请/专利权人：隔热半导体粘合技术公司
摘要：包括过程步骤的代表性技术和器件可以被采用，来减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性。例如，当接触焊盘被定位在一个或两个衬底中的TSV之上时，可以使用具有较大直径或表面面积例如，针对应用是尺寸过大的的金属焊盘。
主权项：1.一种形成微电子组件的方法，所述微电子组件具有多个金属接触焊盘和至少一个穿基板过孔TSV，所述方法包括：在第一衬底中提供第一TSV，所述第一衬底具有第一上部表面，所述第一TSV垂直于所述第一上部表面；将第一金属接触焊盘形成在所述第一上部表面中，所述第一金属接触焊盘被电耦合到所述第一TSV，所述第一金属接触焊盘部分地延伸到所述第一上部表面下方的所述第一衬底中，并且所述第一金属接触焊盘在垂直于所述第一上部表面的方向上与所述第一TSV对准；将第二金属接触焊盘形成在所述第一上部表面中，其中在垂直于所述第一上部表面的方向上，不存在设置于所述第二金属接触焊盘下方的TSV，以及将所述第一上部表面平面化，以具有用于直接接合的预定的最大表面变化，所述平面化将所述第一金属接触焊盘相对于所述第一上部表面的第一凹陷调整以第一量并且将所述第二金属接触焊盘相对于所述第一上部表面的第二凹陷调整以小于所述第一量的第二量，从而补偿所述TSV、所述第一金属接触焊盘和所述第二金属接触焊盘相对于所述第一上部表面的热膨胀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隔热半导体粘合技术公司 TSV之上的大金属焊盘
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