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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：本申请提供了一种μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置，该EL检测方法包括：将包括多个微型发光二极管芯片的基板置于真空腔体中；将基板的导电基底接收固定电平信号；向各微型发光二极管芯片的第一半导体层的表面发射电子束，以激发各微型发光二极管芯片的发光层发光；获取各微型发光二极管芯片的发光图像信号；根据发光图像信号确定各微型发光二极管芯片是否正常。本申请提供的EL检测方法，可直接向各微型发光二极管芯片的第一半导体层表面发射预设条件的电子束，从而激发发光层发光，以实现对应的微型发光二极管芯片的电致发光之直接检测，提高了检测精度，且不需要探针，检测方便。
主权项：1.一种微型发光二极管芯片的电致发光检测方法，其特征在于，包括：将微型发光二极管基板置于真空腔体中；所述微型发光二极管基板包括导电基底100和布置在所述导电基底100上的多个微型发光二极管芯片200，所述微型发光二极管芯片200包括第一半导体层211，所述第一半导体层211为所述微型发光二极管芯片200中最远离所述导电基底100的膜层；将所述微型发光二极管基板的导电基底100接收固定电平信号；向各所述微型发光二极管芯片200的第一半导体层211的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片200的发光层212发光；获取各所述微型发光二极管芯片200的发光图像信号；根据所述发光图像信号确定各所述微型发光二极管芯片200是否正常。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置
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