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申请/专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要：本发明关于一种用于EUV光刻的光学配置，包括：至少一个具有主体32的部件23，该主体具有在该光学配置的操作期间暴露于活性氢H+、H*的至少一个表面区域30，其中该主体32包含至少一个材料，其在接触表面区域30时与该活性氢H+、H*形成至少一个挥发性氢化物。在该表面区域上，将贵金属离子38植入该主体32，以避免形成该挥发性氢化物。
主权项：1.一种用于EUV光刻的光学配置1，其包括：至少一个具有主体32的部件16、23、27，该主体具有在该光学配置1的操作期间暴露于活性氢H+、H*的至少一个表面区域30、30a,b，其中该主体32包含至少一个材料，其接触该表面区域30、30a,b时与该活性氢H+、H*形成至少一个挥发性氢化物，其特征在于，在该表面区域30、30a,b处将贵金属离子38植入该主体32。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 用于EUV光刻的光学配置
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