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一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法 

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申请/专利权人:北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学

摘要:本公开涉及模拟集成电路技术领域,具体涉及一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法,所述低噪声带隙基准电路包括带隙基准电路、斩波电路和低通滤波单元。带隙基准电路包括运算放大器,其中带隙基准电路用于输出基准电压,运算放大器用于对所述带隙基准电路中的第一节点和第二节点进行电压钳位。斩波电路连接到所述运算放大器,用于将所述运算放大器产生的噪声调制到高频。低通滤波单元连接到所述带隙基准电路,用于滤除所述基准电压中的高频噪声。此低噪声带隙基准电路极大地减小了运算放大器的输出噪声,提高了芯片的噪声性能。

主权项:1.一种低噪声带隙基准电路,其特征在于,包括带隙基准电路、斩波电路和低通滤波单元,所述带隙基准电路包括运算放大器,其中:所述带隙基准电路用于输出基准电压;所述运算放大器用于对所述带隙基准电路中的第一节点和第二节点进行电压钳位;所述斩波电路连接到所述运算放大器,用于将所述运算放大器产生的噪声调制到高频;所述低通滤波单元连接到所述带隙基准电路,用于滤除所述基准电压中的高频噪声。

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