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申请/专利权人：重庆安派芯成微电子有限公司
摘要：本发明一种POLYEFUSE读写单元，所述读写单元包括烧录器件以及与所述烧录器件连接的编程MOS晶体管，所述烧录器件连接电源，所述读写单元还配置有第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、烧录电位偏置支路、第一反相器、第二反相器、与非门、与门。本发明实施例中在烧录器件和编程MOS晶体管组成的基本的读写单元的基础上，运用第二MOS晶体管、第二反相器和与非门构成的烧录支路可以对烧录器件进行正常烧录写操作，采用第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、烧录电位偏置支路以及与门构成电路可以进行预烧录和可读功能的扩展，使得本发明提供的读写单元可以很好适配修调精度高的烧录芯片需求，以及提高芯片烧录成功率。
主权项：1.一种poly_efuse读写单元，所述读写单元包括烧录器件以及与所述烧录器件连接的编程MOS晶体管MP1，所述烧录器件连接电源VDD，其特征在于，所述读写单元还配置有第二MOS晶体管MN2、第三MOS晶体管MN3、烧录电位偏置支路、第一反相器101、第二反相器104、与非门103、与门102；其中，所述第一反相器101的输入端作为写控制信号输入端；所述与非门103的第一输入端连接所述控制信号输入端，所述与非门103的第二输入端作为烧录电平信号的输入端；所述烧录电平信号的输入端以及所述第一反相器101的输出端分别连接于所述与门102的两个输入端；所述与非门103的输出端连接于所述第二反相器104的输入端；所述烧录器件和所述编程MOS晶体管MP1连接点之间通过所述第二MOS晶体管MN2接地，所述第二MOS晶体管MN2的栅极连接所述第二反相器104的输出端；所述编程MOS晶体管MP1通过所述烧录电位偏置支路接地，所述编程MOS晶体管MP1与所述烧录电位偏置支路之间的连接点通过所述第三MOS晶体管MN3接地，所述第三MOS晶体管MN3的栅极连接于所述与门102的输出端；所述编程MOS晶体管MP1和所述烧录电位偏置支路之间的连接点作为读写单元的信息输出端；所述编程MOS晶体管MP1的栅极和所述烧录电位偏置支路的控制端均作为读控制信号对应偏置电压控制信号的接入端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆安派芯成微电子有限公司 POLY EFUSE读写单元、烧录系统和烧录方法
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