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申请/专利权人：中国科学院近代物理研究所
摘要：本发明涉及重离子发生装置技术领域，尤其涉及一种用于ECR离子源的金属离子产生装置，包括离子产生腔体、微波馈入波导管、高频高温感应炉、连通管套、加热电阻炉、金属进料盒和偏压电极，微波馈入波导管、高频高温感应炉、连通管套、偏压电极穿设于离子产生腔体的ECR离子源注入端；加热电阻炉和金属进料盒择一安装于连通管套的入口端。本发明集成新的MIVOC法、高频高温感应炉法、加热电阻炉法三种金属离子产生方法，大幅提升离子源坩埚法调试金属离子的坩埚温度，拓宽高温难熔金属离子温区范围为100℃～3000℃，提升金属离子能区范围，维持引出束流稳定性，提高终端束流使用效率，为高温难熔金属离子产出创造有利条件，满足用户对高温难熔金属离子的需求。
主权项：1.一种用于ECR离子源的金属离子产生装置，其特征在于，包括：离子产生腔体1，所述离子产生腔体1内构造为真空环境，所述离子产生腔体1一端为ECR离子源注入端，另一端为ECR离子源引出端；微波馈入波导管2，穿设于所述离子产生腔体1的ECR离子源注入端；高频高温感应炉3，穿设于所述离子产生腔体1的ECR离子源注入端，所述高频高温感应炉3的炉体坩埚位于所述离子产生腔体1内；连通管套4，穿设于所述离子产生腔体1的ECR离子源注入端，所述连通管套4出口端位于所述离子产生腔体1内，入口端位于所述离子产生腔体1外；加热电阻炉5和金属进料盒6，所述加热电阻炉5和所述金属进料盒6择一安装于所述连通管套4的入口端；所述金属进料盒6设置有控温装置；偏压电极7，穿设于所述离子产生腔体1的ECR离子源注入端，所述偏压电极7的偏压电离盘701位于所述离子产生腔体1内，所述微波馈入波导管2的出口端、所述高频高温感应炉3的出口端以及所述连通管套4的端部均穿设于所述偏压电离盘701。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院近代物理研究所 一种用于ECR离子源的金属离子产生装置
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