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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种RC‑LIGBT及其制备方法、芯片，在SOI晶圆衬底的正面形成N型漂移层，在N型漂移层上形成P型阱区、电势截止层，在P型阱区上形成第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区，并将P型阱区划分为第一P型浮柱、第二P型浮柱以及第三P型浮柱，在电势截止层上形成P型集电区，形成发射极和集电极，其中集电极与P型集电区和N型集电区接触，通过设置N型集电区与集电极之间为肖特基接触，可以使得器件导通的初始阶段，增加N型集电区的导通电势，解决了器件存在的电压回弹的问题。

主权项：1.一种RC-LIGBT的制备方法，其特征在于，所述RC-LIGBT的制备方法包括：通过键合制备SOI晶圆衬底，并在所述SOI晶圆衬底的正面注入N型掺杂离子形成N型漂移层；在所述N型漂移层上第一预设区域注入P型掺杂离子形成P型阱区，并在所述N型漂移层的第二预设区域注入N型掺杂离子形成电势截止层；所述电势截止层内的N型掺杂离子的浓度大于所述N型漂移层内N型掺杂离子的浓度；在所述P型阱区上的第三预设区域和第四预设区域注入P型掺杂离子形成第一P型掺杂区、第二P型掺杂区，在所述电势截止层的第五预设区域注入P型掺杂离子形成P型集电区；在所述P型阱区上的多个区域注入N型掺杂离子形成第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区，在所述电势截止层上的指定区域形成N型集电区；其中，所述第一N型掺杂区与所述第一P型掺杂区相邻，所述第二N型掺杂区、所述第三N型掺杂区分别位于所述第二P型掺杂区的两侧，所述N型集电区与所述P型集电区相邻；在所述P型阱区上形成第一深槽和第二深槽，将所述P型阱区划分为第一P型浮柱、第二P型浮柱以及第三P型浮柱；其中，所述第二N型掺杂区、所述第三N型掺杂区位于所述第一深槽和所述第二深槽之间；在所述第一深槽内形成第一栅极介质层以及第一多晶硅层，在所述第二深槽内形成第二栅极介质层以及第二多晶硅层；其中，所述第一栅极介质层包裹所述第一多晶硅层，所述第二栅极介质层包裹所述第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的底部形成有第一高K介质层；所述第二多晶硅层的底部形成有第二高K介质层；形成与所述第一P型掺杂区、所述第二P型掺杂区、所述第一N型掺杂区、所述第二N型掺杂区以及所述第三N型掺杂区接触的发射极，并形成与所述P型集电区和所述N型集电区接触的集电极；其中，所述集电极与所述N型集电区之间为肖特基接触，所述集电极与所述P型集电区之间为欧姆接触。

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