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摘要：本申请公开一种用于制作集成VCSEL和HBT的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：生长HBT的集成外延结构；制备VCSEL器件；光刻胶覆盖VCSEL区域，刻蚀VCSEL外延层到刻蚀截止层；制备HBT电极；剥离VCSEL上方的光刻胶，电连接HBT与VCSEL。
主权项：1.一种用于制作集成VCSEL和HBT的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：生长HBT的集成外延结构；制备VCSEL器件；光刻胶覆盖VCSEL区域，刻蚀VCSEL外延层到刻蚀截止层；制备HBT电极；剥离VCSEL上方的光刻胶，电连接HBT与VCSEL。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波飞芯电子科技有限公司 一种用于制作集成VCSEL和HBT的外延结构的制作方法
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