龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：汉轩微电子制造(江苏)有限公司
摘要：本发明公开了一种集成NMOS管的H桥器件结构，属于集成电路技术领域，该集成NMOS管的H桥器件结构，包括衬底，衬底中形成有N型重掺杂区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区位于N型重掺杂区的顶部，衬底中形成第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，以构成H桥电路，衬底的正面形成有复合绝缘层，复合绝缘层的顶部覆盖有导热金属层，导热金属层的顶部形成有测温电阻，测温电阻的底面与导热金属层接触。通过将NMOS管集成在一个衬底上构成H桥电路，提高器件集成度，设置测温电阻，搭配外部温度采集及控制电路可以起到监测器件温度的作用，避免器件的热损坏。
主权项：1.一种集成NMOS管的H桥器件结构，其特征在于，包括衬底、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述衬底中形成有N型重掺杂区和N型轻掺杂区，所述N型轻掺杂区位于所述N型重掺杂区的顶部，所述衬底中形成所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，以构成H桥电路，其中所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管共用所述N型重掺杂区和所述N型轻掺杂区，所述衬底的正面形成有复合绝缘层，所述复合绝缘层的顶部覆盖有导热金属层，所述导热金属层的顶部形成有测温电阻，所述测温电阻的底面与所述导热金属层接触，所述导热金属层连接到集成器件的内部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 汉轩微电子制造(江苏)有限公司 一种集成NMOS管的H桥器件结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号