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用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受 

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申请/专利权人:德州仪器公司

摘要:本申请实施例涉及用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受。所描述实例包含方法、集成电路110和开关电路100,所述开关电路包含驱动器电路116和硅晶体管或其它电流源电路102,所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管101耦合。驱动器116在第一模式中操作以将控制电压信号GC1递送到所述第一晶体管101,且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管101相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路102以从所述第一晶体管101传导汇点电流12以影响控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管101。

主权项:1.一种电路装置,其包括:电压感测端子,其可耦合到第一晶体管的第一电流端子;第二晶体管,其具有可耦合到所述第一晶体管的第二电流端子的第一电流端子、第二电流端子及控制端子;及驱动器电路,其包含可耦合到所述第一晶体管的控制端子的第一控制端子,以及可耦合到所述第二晶体管的所述控制端子的第二控制端子,所述驱动器电路经配置以:将所述第二晶体管的所述第一电流端子偏置在第一电压;响应于与所述电压感测端子相关联的过电压条件,将所述第二晶体管的所述第一电流端子偏置在第二电压,其中所述第二电压低于所述第一电压;且基于驱动器输入信号输出在所述第一控制端子处的控制信号,且所述控制信号与所述过电压条件无关。

全文数据:

权利要求:

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