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申请/专利权人：浜松光子学株式会社
摘要：准备具有彼此相对的第一主面11a和第二主面11b的半导体基板11。半导体基板11具有第一导电型的第一半导体区域13。半导体基板11在第二主面11b侧具有形成与第一半导体区域13构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域15的多个预定区域PR。纹理区域形成于第二主面11b中的多个预定区域PR中包含的面。在形成纹理区域后，多个第二半导体区域15形成于多个预定区域PR。第一主面11a为朝向半导体基板的光入射面。
主权项：1.一种背面入射型半导体光检测元件的制造方法，其特征在于，包括：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面且具有第一导电型的第一半导体区域，并且在所述第二主面侧具有形成与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域的多个预定区域；在所述第二主面中的所述多个预定区域中包含的面形成纹理区域的工序；和在形成所述纹理区域后，在所述多个预定区域形成所述多个第二半导体区域的工序，在所述多个预定区域形成所述多个第二半导体区域的所述工序包含，以所述第二半导体区域和所述第一半导体区域的边界面呈与纹理表面的凹凸形状对应的凹凸形状的方式，沿着所述纹理区域的表面形状形成所述第二半导体区域的工序，所述第一主面为朝向所述半导体基板的光入射面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浜松光子学株式会社 背面入射型半导体光检测元件的制造方法
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