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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种读出电路结构，设置在存储阵列的间隙中，包括：第一感测放大电路，通过第一位线耦合相邻存储阵列中的一存储阵列，通过第一互补位线耦合相邻存储阵列中的另一存储阵列，用于感测存储阵列的存储单元的电压并输出对应于电压的逻辑1或0；第一均衡管，源极或漏极的其中一者连接第一位线；第二均衡管，源极或漏极的其中一者连接第一互补位线；第一均衡管和第二均衡管分别设置在第一感测放大电路相对两侧，用于根据均衡信号，预充第一位线的电压和第一互补位线的电压至预设电压，以解决存储器预充电速度慢的问题。
主权项：1.一种读出电路结构，设置在相邻存储阵列的间隙中，其特征在于，包括：第一感测放大电路，通过第一位线耦合相邻存储阵列中的一存储阵列，通过第一互补位线耦合相邻存储阵列中的另一存储阵列，用于感测所述存储阵列的存储单元的电压并输出对应于所述电压的逻辑1或0；第一均衡管，源极或漏极的其中一者连接所述第一位线，另一者用于接收预设电压，栅极连接均衡信号；第二均衡管，源极或漏极的其中一者连接所述第一互补位线，另一者用于接收预设电压，栅极连接均衡信号；所述第一均衡管和所述第二均衡管分别设置在所述第一感测放大电路相对两侧，用于根据均衡信号，预充所述第一位线的电压和所述第一互补位线的电压至预设电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 读出电路结构
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