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申请/专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
摘要：本实用新型的名称一种功率半导体压接模块绝缘耐压结构。属于功率器件制造技术领域。它主要是解决压接模块沿着氮化铝边缘向上爬电问题。它的主要特征是：包括底板、外壳和氮化铝；所述底板上沿氮化铝边缘开有槽，使槽内流入硅胶防止氮化铝边缘爬电；所述外壳与底板接触的的底面上开有与槽相通的豁口，形成排气通道，以便更好的将圆环状槽内的气泡抽出，增强模块绝缘性能。本实用新型具有提升产品的绝缘性能可靠性和绝缘性能上限值的特点，主要用于绝缘耐压标准≥4500V的功率半导体压接模块。
主权项：1.一种功率半导体压接模块绝缘耐压结构，包括底板（7）、外壳（4）和氮化铝，其特征是：所述底板（7）上沿氮化铝边缘开有槽（8）；所述外壳（4）与底板（7）接触的底面上开有与槽（8）相通的豁口。
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