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申请/专利权人：晶铁半导体技术(广东)有限公司
摘要：本发明公开一种数据写入控制电路及数据写入控制方法，涉及数据存储技术领域。数据写入控制电路包括存储单元、选择器、共源共栅极放大器、比较器和微处理器，存储单元与选择器连接，共源共栅极放大器连接于选择器与比较器之间，微处理器与选择器、共源共栅极放大器和比较器连接；微处理器用于在向存储单元写入数据时发送使能信号以使选择器选择维持低电平的位线，以测量位线的电压冲激值，共源共栅极放大器用于对电压冲激值进行放大，比较器用将放大后的电压冲激值与参考电压进行对比，微处理器还用于当放大后的电压冲激值小于参考电压时终止向存储单元写入数据。本发明公开的电路及方法可提高存储器的使用寿命，提升存储器的性能。
主权项：1.一种数据写入控制电路，用于铁电存储器的存储单元的数据写入控制，其特征在于，包括：存储单元、选择器、共源共栅极放大器、比较器和微处理器，所述存储单元包括第一存储子单元和第二存储子单元，所述第一存储子单元的位线和所述第二存储子单元的位线均与所述选择器连接，所述共源共栅极放大器连接于所述选择器与所述比较器之间，所述微处理器分别与所述选择器、所述共源共栅极放大器和所述比较器连接；所述微处理器用于在向存储单元写入数据时向所述选择器发送使能信号以使所述选择器选择维持低电平的位线，以便测量被选择位线的电压冲激值，所述共源共栅极放大器用于对所述电压冲激值进行放大，所述比较器用将放大后的电压冲激值与所述微处理器输入的参考电压进行对比，所述微处理器还用于当放大后的电压冲激值小于所述参考电压时终止向所述存储单元写入数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶铁半导体技术(广东)有限公司 数据写入控制电路及数据写入控制方法
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