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一种多金属负载氧化钴的多孔复合纳米薄膜制备方法 

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申请/专利权人:青岛大学

摘要:本发明属于气体传感器技术领域,涉及一种多金属负载氧化钴的多孔复合纳米薄膜制备方法,先通过牺牲模板法直接在叉指电极上合成了三维有序大孔结构的Co3O4薄膜,然后以MeCpPtMe3为铂源,以Rhacac3为铑源,通过原子层沉积技术在合成的Co3O4薄膜上负载贵金属铂和铑,操作流程简单易行,制备过程中采用的金属催化剂具有高度分散性,金属负载量低,适合于批量制备气体传感器,对于气敏薄膜的研制和气体传感器应用具有重要价值。

主权项:1.一种多金属负载氧化钴的多孔复合纳米薄膜制备方法,其特征在于,具体制备过程为:1在叉指电极上制备三维有序大孔结构的Co3O4薄膜;2以MeCpPtMe3为铂源,以Rhacac3为铑源,通过原子层沉积技术在合成的Co3O4薄膜上分别负载贵金属铂和铑,得到Co3O4PtRh多孔薄膜,具体为:2-1将制备好的带有Co3O4薄膜的叉指电极放置在原子层沉积反应室内负载Pt,采用MeCpPtMe3作为Pt的前体反应物,使用臭氧发生器将高纯度O2转化为O3,高纯N2作为载体和吹扫气体,反应室的温度保持在280℃,将MeCpPtMe3保持在75℃,沉积Pt的每一个循环依次包含:1s的MeCpPtMe3脉冲、20s的反应、25s的N2吹扫、1s的O3脉冲、25s的反应以及25s的N2吹扫,分别沉积5-20个循环;将沉积后的样品于400℃下在含有10%H2的ArH2混合气氛中煅烧4h,得到Co3O4Pt薄膜;2-2将制备好的Co3O4Pt薄膜继续放置在原子层沉积反应室内负载Rh,选用Rhacac3作为Rh的前体反应物,O2作为氧化气体,高纯N2作为载体和吹扫气体,反应室的温度保持在275℃,将Rhacac3保持在150℃,沉积Rh的每一个循环依次包含:1s的Rhacac3脉冲、15s的反应、15s的N2吹扫、1s的O2脉冲、10s的反应以及15s的N2吹扫,沉积5-20个循环,得到Co3O4PtRh薄膜。

全文数据:

权利要求:

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