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申请/专利权人：IMEC非营利协会
摘要：本发明涉及一种蚀刻半导体结构上一个或多个实体的方法，各个实体由选自金属和金属氮化物的材料制成，所述方法包括如下步骤：a通过在至少0.1A的电流下电解使含有浓度为0.01moll至1.0moll氯阴离子的前体溶液氧化，由此形成蚀刻溶液；b提供在其上具有一个或多个实体的半导体结构；和c通过使一个或多个实体与蚀刻溶液接触来至少部分蚀刻一个或多个实体。
主权项：1.一种在半导体结构上蚀刻一个或多个实体的方法，各实体由选自金属和金属氮化物的材料制成，所述方法包括如下步骤：a.通过在至少0.1A的电流下电解使含有浓度为0.01moll至1.0moll氯阴离子的前体溶液氧化，由此形成蚀刻溶液；b.提供在其上具有一个或多个实体的半导体结构；以及c.通过使一个或多个实体与蚀刻溶液接触来至少部分蚀刻所述一个或多个实体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC非营利协会 使用电解的氯化物溶液进行蚀刻
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