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申请/专利权人：广州润芯信息技术有限公司

摘要：本发明公开了低噪声带隙基准输出电压建立电路，包括PTAT电流产生电路、零温度系数电压产生电路、低噪声带隙基准电压输出电路和补充电流产生电路，PTAT电流产生电路用于产生PTAT电流至零温度系数电压产生电路，零温度系数电压产生电路用于将PTAT电流镜像到电路中，并调节电路中的调节电阻，以使输出电压的温度系数为零，低噪声带隙基准电压输出电路用于将来自零温度系数电压产生电路的输出电压处理为参考电压进行输出，补充电流产生电路用于检测参考电压电位的高低以快速产生补充电流给低噪声带隙基准电压输出电路充电。

主权项：1.低噪声带隙基准输出电压建立电路，其特征在于，包括PTAT电流产生电路、零温度系数电压产生电路、低噪声带隙基准电压输出电路和补充电流产生电路，所述PTAT电流产生电路用于产生PTAT电流至零温度系数电压产生电路，零温度系数电压产生电路用于将PTAT电流镜像到电路中，并调节电路中的调节电阻，以使输出电压的温度系数为零，低噪声带隙基准电压输出电路用于将来自零温度系数电压产生电路的输出电压处理为参考电压进行输出，补充电流产生电路用于检测参考电压电位的高低以快速产生补充电流给低噪声带隙基准电压输出电路充电；所述PTAT电流产生电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、晶体管Q1、晶体管Q2、电阻R1和运算放大器opamp1，所述电阻R1的一端和PMOS管MP2的漏极均连接运算放大器opamp1的同相输入端，运算放大器opamp1的反相输入端、晶体管Q1的发射极均与PMOS管MP1的漏极连接，PMOS管MP1的源极与PMOS管MP2的源极连接，PMOS管MP1的栅极连接PMOS管MP2的栅极，电阻R1的另一端连接晶体管Q2的发射极，晶体管Q2的集电极、晶体管Q1的基极、晶体管Q2的基极均接地；运算放大器opamp1的输出端连接PMOS管MP2的栅极；PMOS管MP2的源极和PMOS管MP2的栅极均与零温度系数电压产生电路连接；所述零温度系数电压产生电路包括PMOS管MP3、晶体管Q3、电阻R2，所述PMOS管MP3的栅极连接PMOS管MP2的栅极，PMOS管MP3的源极连接PMOS管MP2的源极，PMOS管MP3的漏极通过电阻R2连接晶体管Q3的发射极，晶体管Q3的集电极和基极均接地，PMOS管MP3的集电极连接低噪声带隙基准电压输出电路；所述低噪声带隙基准电压输出电路包括运算放大器opamp2、由若干个电阻依次串联形成的串联电阻支路以及电容C1，所述运算放大器opamp2的同相输入端连接PMOS管MP3的集电极，运算放大器opamp2的反相输入端、串联电阻支路的一端和电容C1的一端均与运算放大器opamp2的输出端连接，串联电阻支路的另一端，电容C1的另一端均接地，所述串联电阻支路中任意相邻的两个电阻之间、以及电容C1的一端均输出参考电压；所述补充电流产生电路包括PMOS管MP4至PMOS关MP8、NMOS管MN1至NMOS管MN5，所述PMOS管MP4的发射极、NMOS管MN4的集电极、PMOS管MP5的发射极均与PMOS管MP6的发射极连接，PMOS管MP4的集电极连接PMOS管MP7的发射极连接，PMOS管MP7的集电极、NMOS管MN4的栅极均与NMOS管MN1的集电极连接，NMOS管MN1的栅极连接参考电压，NMOS管MN4的发射极连接NMOS管MN2的集电极，PMOS管MP5的栅极连接NMOS管MN3的栅极，PMOS管MP5的集电极、PMOS管MP6的栅极以及PMOS管MP8的栅极均与NMOS管MN3的集电极连接，PMOS管MP8的集电极连接参考电压，PMOS管MP8的发射极、PMOS管MP6集电极均通过电阻R3接地，PMOS管MP7的栅极、NMOS管MN1的发射极、NMOS管MN2的栅极、NMOS管MN2的发射极、NMOS管MN3的发射极均接地。

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