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申请/专利权人：西南大学

摘要：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及基于双重入式谐振腔的微流体谐波传感器，包括双频背腔缝隙天线、微流体芯片和倍频电路；双频背腔缝隙天线包括高频背腔缝隙天线和低频背腔缝隙天线，由第一至第三介质基板纵向堆叠组成，低频背腔缝隙天线位于第一至第三介质基板，用于接收外部询问信号，在腔体中心处加载微流体芯片作为介电传感区；高频背腔缝隙天线位于第二介质基和第三介质基板，用于将倍频后的传感信号发射出去；倍频电路包括输入匹配电路、输入滤波电路、第三变容二极管、输出滤波电路和输出匹配电路。本发明具有灵敏度高和精度高的优点。

主权项：1.一种基于双重入式谐振腔的微流体谐波传感器，其特征在于：包括双频背腔缝隙天线（1）、倍频电路（1216）和微流体芯片（113）；所述双频背腔缝隙天线（1）具有层叠设置的第一介质基板（11）、第二介质基板（12）和第三介质基板（13），且三层介质基板均具有金属顶层、中间介质层和金属底层；所述双频背腔缝隙天线（1）的低频背腔缝隙天线的第一谐振腔由开设在第一介质基板（11）上的一圈第一金属化通孔（111）、开设在第二介质基板（12）上的一圈第二金属化通孔（124）以及开设在第三介质基板（13）上的一圈第三金属化通孔（134）围成，且此三圈金属化通孔在纵向上相对齐；所述双频背腔缝隙天线（1）的高频背腔缝隙天线的第二谐振腔由开设在第二介质基板（12）上的一圈第四金属化通孔（123）和开设在第三介质基板（13）上的第五金属化通孔（136）围成，且此两圈金属化通孔在纵向上相对齐；所述第二介质基板（12）上在一圈第四金属化通孔（123）的内侧开设有一圈第六金属化通孔（126）；所述第二介质基板（12）的金属顶层上在第二金属化通孔（124）和第四金属化通孔（123）之间开设有第一环槽（1217）；所述第二介质基板（12）的金属底层上在第六金属化通孔（126）和第四金属化通孔（123）之间开设于第二环槽（121）、在第四金属化通孔（123）和第二金属化通孔（124）之间开设有第三环槽（128）；所述第三介质基板（13）的金属顶层上在第五金属化通孔（136）的内侧开设有圆形槽（131）、在第五金属化通孔（136）和第三金属化通孔（134）之间开设有第四环槽（135）；所述第四金属化通孔（123）、第五金属化通孔（136）、位于第二环槽（121）和第三环槽（128）之间的第一环形金属区域（127）、位于第四环槽（135）和圆形槽（131）之间的第二环形金属区域（137）和位于第一环槽（1217）内侧的第一圆形金属区域（122）组成第一谐振腔的重入式电容柱结构；所述第六金属化通孔（126）和位于第二环槽（121）内侧的第二圆形金属区域（125）组成第二谐振腔的重入式电容柱；所述第一介质基板（11）的金属底层被刻蚀至中间介质层形成嵌入槽（1113），所述微流体芯片（113）嵌入在嵌入槽（1113）内；所述倍频电路（1216）设置在第二介质基板（12）的金属底层上。

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百度查询： 西南大学 基于双重入式谐振腔的微流体谐波传感器