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申请/专利权人：青岛天仁微纳科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种纳米压印晶圆生产的表面温度检测方法，属于温度检测技术领域，包括以下步骤：S1、采集晶圆的温度集，确定各个历史时刻的温度限制模型，并利用各个历史时刻的温度限制模型为晶圆生成温度交换函数；S2、利用温度交换函数生成控制温度矩阵；S3、基于控制温度矩阵，检测晶圆生产是否合格。本发明可用于指导晶圆的生产进程，减少温度对晶圆生成质量的影响。
主权项：1.一种纳米压印晶圆生产的表面温度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采集晶圆的温度集，确定各个历史时刻的温度限制模型，并利用各个历史时刻的温度限制模型为晶圆生成温度交换函数；S2、利用温度交换函数生成控制温度矩阵；S3、基于控制温度矩阵，检测晶圆生产是否合格。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种纳米压印晶圆生产的表面温度检测方法
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