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申请/专利权人：安徽理工大学

摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体而言，涉及一种混源型光伏逆变器及其控制方法，该混源型光伏逆变器的拓扑结构包括：直流电源E1、第一电容C1、第二电容C2、滤波电容Cg、第一金属氧化物半导体场效应晶体管S1至第四金属氧化物半导体场效应晶体管S4、第一逆阻型绝缘栅双极性晶体管T1、第二逆阻型绝缘栅双极性晶体管T2、第一直流电感Ldc1、第二直流电感Ldc2、第一滤波电感Lg1、第一二极管D1和交流电源Vg。本发明的混源型光伏逆变器相对于传统的各种逆变器功率回路电感压降最小，可使用场效应晶体管作为开关器件，其导通损耗较小，仅有一级电路在高频状态下工作，从而降低开关损耗，实现高频情况下的高效率。

主权项：1.一种混源型光伏逆变器，其特征在于，其拓扑结构包括：直流电源E1、第一电容C1、第二电容C2、滤波电容Cg、第一金属氧化物半导体场效应晶体管S1、第二金属氧化物半导体场效应晶体管S2、第一逆阻型绝缘栅双极性晶体管T1、第二逆阻型绝缘栅双极性晶体管T2、第三金属氧化物半导体场效应晶体管S3、第四金属氧化物半导体场效应晶体管S4、第一直流电感Ldc1、第二直流电感Ldc2、第一滤波电感Lg1、第一二极管D1和交流电源Vg；其中，所述第一电容C1和第二电容C2的大小相等；所述直流电源E1的正极连接所述第一电容C1的第一端和所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管S3的第一端，所述直流电源E1的负极连接所述第二电容C2的第一端和所述第四金属氧化物半导体场效应晶体管S4的第一端；所述第一电容C1的第二端和所述第二电容C2的第二端连接并接地；所述第一二极管D1的阴极连接所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管S3的第二端和所述第一直流电感Ldc1的第一端，所述第一二极管D1的阳极连接所述第四金属氧化物半导体场效应晶体管S4的第二端和所述第二直流电感Ldc2的第一端；所述第一直流电感Ldc1的第二端连接所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管S1的第一端和所述第一逆阻型绝缘栅双极性晶体管T1的第一端；所述第二直流电感Ldc2的第二端连接所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管S2的第二端和所述第二逆阻型绝缘栅双极性晶体管T2的第二端；所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管S1的第二端连接所述滤波电容Cg的第二端、所述交流电源Vg的第二端和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管S2的第一端；所述第一逆阻型绝缘栅双极性晶体管T1的第二端连接所述滤波电容Cg的第一端、所述第一滤波电感Lg1第一端和所述第二逆阻型绝缘栅双极性晶体管T2的第一端；所述第一滤波电感Lg1的第二端连接交流电源Vg的第一端，且所述交流电源Vg第二端接地；所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管S2的第二端连接所述第二逆阻型绝缘栅双极性晶体管T2的第二端和第二直流电感Ldc2的第二端。

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