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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体表面的研磨方法，包括：将半导体放置在研磨盘上，使用金刚石颗粒的粒径为50μm的研磨液，对半导体进行第一次研磨，使得第一次研磨后的半导体的基体表面减薄300μm；对半导体进行清洗及烘干处理；将半导体放置在研磨盘上，使用激光对半导体进行照射，使得照射后的半导体的镍铁线圈表面增高5nm；在照射完成后，使用金刚石颗粒的粒径为10μm的研磨液，对半导体进行第二次研磨，使得第二次研磨后的半导体的基体表面高于镍铁线圈表面0.25μm～0.3μm。采用本发明的技术方案能够解决金刚石颗粒较大或较小时存在的研磨问题，使得研磨后半导体的基体表面和镍铁线圈表面均光滑，并且保证基体表面高于镍铁线圈表面0.25μm～0.3μm。
主权项：1.一种半导体表面的研磨方法，其特征在于，包括：将待研磨的半导体放置在研磨盘上，使用金刚石颗粒的粒径为50μm的研磨液，对所述待研磨的半导体进行第一次研磨处理，使得第一次研磨后的半导体的基体表面减薄300μm；对所述第一次研磨后的半导体进行清洗及烘干处理；将烘干后的半导体放置在所述研磨盘上，使用激光对所述烘干后的半导体进行照射，使得照射后的半导体的镍铁线圈表面增高5nm；在照射完成后，使用金刚石颗粒的粒径为10μm的研磨液，对所述照射后的半导体进行第二次研磨处理，使得第二次研磨后的半导体的基体表面高于镍铁线圈表面0.25μm～0.3μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 一种半导体表面的研磨方法
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