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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及微电子与纳米电子技术领域，尤其是涉及一种二维材料太赫兹探测器及其制备方法，二维材料太赫兹探测器包括半导体衬底、底电极、绝缘层、二维材料沟道区、金属天线层、外围电极；半导体衬底上刻蚀有底电极沟槽，底电极沉积在半导体衬底的底电极沟槽中，绝缘层生长在半导体衬底和底电极的上方，二维材料沟道区设置在绝缘层的上方，金属天线层选择性沉积在绝缘层上并覆盖二维材料沟道区的两端，外围电极选择性沉积在绝缘层上并位于任意一金属天线层远离二维材料沟道区的一端。通过调控底电极的电压即可使得二维材料沟道区两端形成不对称的费米能级，使热载流子温度梯度光热电效应得以最大化，获得高速、高灵敏、宽频段的太赫兹探测器。
主权项：1.一种二维材料太赫兹探测器，其特征在于，包括半导体衬底100、底电极101、绝缘层102、二维材料沟道区103、金属天线层104、外围电极105；其中，所述半导体衬底100上刻蚀有底电极沟槽，所述底电极101沉积在所述半导体衬底100的底电极沟槽中，所述绝缘层102生长在所述半导体衬底100和所述底电极101的上方，所述二维材料沟道区103设置在所述绝缘层102的上方，所述金属天线层104选择性沉积在所述绝缘层102上并覆盖所述二维材料沟道区103的两端，所述外围电极105选择性沉积在所述绝缘层102上并位于任意一所述金属天线层104远离所述二维材料沟道区103的一端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种二维材料太赫兹探测器及其制备方法
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