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申请/专利权人：DH科技发展私人贸易有限公司
摘要：一种在质谱仪中处理离子的方法包括：将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，以使所述离子的至少一部分碎裂，其中，碰撞室被配置为约束具有大于所选定阈值的mz比的离子即，高mz离子。离子被从碰撞室释放并被引入下游分析仪离子阱中，以径向约束高mz离子。碰撞室和分析仪离子阱被配置为约束具有低于所选定阈值的mz比的离子即，低mz离子。离子被引入碰撞室中并经历碎裂。碎片离子被从碰撞室释放并被引入分析仪离子阱中，因此为分析仪离子阱加载高mz离子和低mz离子二者。离子被从分析仪离子阱释放并由检测器进行检测。
主权项：1.一种在质谱仪中处理离子的方法，包括：将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，从而使所述离子的至少一部分碎裂成多种离子碎片，所述碰撞室包括多个杆，所述多个杆中的至少一个能被施加RF电压以径向约束所述离子碎片的至少一部分，选择施加到所述碰撞室的所述RF电压，从而有利于径向约束具有大于阈值的mz比的高mz离子，选择施加到下游分析仪离子阱的至少一个杆的至少一个RF电压，从而有利于径向约束所述高mz离子，将所述高mz离子从所述碰撞室释放到所述分析仪离子阱中，向所述分析仪离子阱施加压力脉冲，从而加速所述分析仪离子阱从所述碰撞室接收的所述高mz离子的冷却，随后，将施加到所述碰撞室和所述分析仪离子阱的所述RF电压降低至适于径向约束具有低于所述阈值的mz比的低mz离子的水平，将多个前驱物离子引入所述碰撞室中，以产生多种离子碎片，将所述低mz离子从所述碰撞室引入所述分析仪离子阱中，以及使用质量选择性轴向喷射从所述分析仪离子阱释放所述高mz离子和所述低mz离子。
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百度查询： DH科技发展私人贸易有限公司 RF离子阱离子加载方法
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