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申请/专利权人：江苏格瑞宝电子有限公司

摘要：本发明公开了一种解决SGT‑MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，包括如下步骤：生长外延层，淀积掩蔽层，淀积光刻胶，沟槽光刻，沟槽刻蚀，掩蔽层移除，场氧化层生长，屏蔽栅多晶硅填充，屏蔽栅多晶硅刻蚀，场氧化层沟槽光刻，场氧化层浅沟槽填充形成掩膜层，场氧化层掩膜层光刻，场氧化层刻蚀，场氧化层掩膜层去除；生长栅氧化层，淀积栅多晶硅并刻蚀并形成MOSFET的栅极。本发明通过在深沟槽两头的场氧化层中形成垂直于深沟槽的另一沟槽，并在其中填充氮化硅，利用氮化硅阻隔场氧化层的横向刻蚀，从而有效解决场氧化层的过腐问题；相对于现有技术，本发明在不用牺牲芯片面积的前提下，解决场氧化层过腐的问题，规避卡紧失效的风险。

主权项：1.一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）、生长外延层：根据MOSFET的特性需求选择合适的外延圆片，该圆片由低范围电阻率的基片（1）和定值电阻率的外延层（2）组成，在基片上进行外延生长形成一外延层；所述步骤（1）中MOSFET为100VNMOS，低范围电阻率为0.001~0.003Ohm.cm，外延层的定值电阻率为0.3Ohm.cm；（2）、淀积掩蔽层：在外延层上生长一层掩蔽层（3）；（3）、淀积光刻胶：在掩蔽层上淀积一层光刻胶（4）；（4）、沟槽光刻：进行沟槽光刻，并对光刻胶和掩蔽层进行刻蚀，刻蚀出沟槽刻蚀窗口（5）；（5）、沟槽刻蚀：去除光刻胶，对沟槽刻蚀窗口进行深沟槽刻蚀，在掩蔽层的掩蔽作用下形成深沟槽（6）；（6）、掩蔽层移除：去除掩蔽层，对外延层表面进行牺牲氧化，并去掉氧化层；（7）、场氧化层生长：生长氧化层，在深沟槽侧壁、底部和外延层表面生长出一层场氧化层（7）；（8）、屏蔽栅多晶硅填充：淀积屏蔽栅多晶硅（8），屏蔽栅多晶硅将深沟槽填充满，同时在外延层表面淀积一层屏蔽栅多晶硅；（9）、屏蔽栅多晶硅刻蚀：对屏蔽栅多晶硅进行刻蚀，至深沟槽内屏蔽栅多晶硅与硅表面齐平；（10）、场氧化层沟槽光刻：在深沟槽的两端，沿垂直深沟槽方向将场氧化层刻蚀出一道浅沟槽（12），浅沟槽的底部至硅表面；（11）、场氧化层浅沟槽填充形成掩膜层（9）：用氮化硅填充场氧化层浅沟槽，场氧化层表面覆盖氮化硅形成掩膜层；（12）、场氧化层掩膜层光刻：先将未被光刻胶覆盖的掩膜层刻蚀掉，接着刻蚀场氧化层，深沟槽中的场氧化层刻蚀后低于屏蔽栅表面，形成栅沟槽；最后将未刻蚀的掩膜层去除掉；（13）、生长栅氧化层：在栅沟槽两边侧壁以及硅表面形成栅氧化层（10）；（14）、淀积栅多晶硅并刻蚀：在栅氧化层上淀积栅多晶硅（11），使得栅沟槽中充满栅多晶硅，对栅多晶硅进行刻蚀，使得栅多晶硅低于硅表面并形成MOSFET的栅极。

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