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申请/专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司

摘要：本发明公开一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，包括如下步骤：在CMOS基板上制备金属反射阳极，在金属反射阳极上制备透明阳极层，厚度为Hr；在透明阳极层上旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅰ进行曝光显影，保留子像素窗口内的光刻胶，对金属反射阳极进行刻蚀，刻蚀至CMOS基板；去除残余光刻胶后在旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅱ进行曝光显影，去除B子像素单元上的光刻胶，去除G子像素单元上的部分光刻胶，不去除R子像素单元的光刻胶；对光刻胶及透明阳极进行刻蚀，形成透明阳极层厚度为Hb的B子像素单元，透明阳极层厚度为Hg的G子像素单元及透明阳极层厚度为Hr的R子像素单元。本发明采用HarftoneMask的方式制备强微腔阳极结构，减少Mask次数，节省Mask成本，从而提升良率，提升产能。

主权项：1.一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：S11、在CMOS基板上制备金属反射阳极，在金属反射阳极上制备透明阳极层，厚度为Hr；S12、在透明阳极层上旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅰ进行曝光显影，保留子像素窗口内的光刻胶，对金属反射阳极进行刻蚀，刻蚀至CMOS基板；S13、去除残余光刻胶后再旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅱ进行曝光显影，去除B子像素单元上的光刻胶，去除G子像素单元上的部分光刻胶，不去除R子像素单元的光刻胶；S14、对光刻胶及透明阳极进行刻蚀，形成透明阳极层厚度为Hb的B子像素单元，透明阳极层厚度为Hg的G子像素单元及透明阳极层厚度为Hr的R子像素单元；所述步骤S14具体包括如下步骤：对透明阳极层进行刻蚀，刻蚀至B子像素单元上的透明阳极层厚度为Hr+Hb-Hg；对光刻胶进行灰化，完全去除G子像素单元上的光刻胶，去除R子像素单元上的部分光刻胶；对透明阳极层进行刻蚀，刻蚀至G子像素单元上的透明阳极层厚度为Hg，B子像素单元上的透明阳极层厚度为Hr+Hb-Hg-Hr-Hg＝Hb；去除全部的光刻胶；或者是，所述步骤S14包括：通过掩膜板Ⅱ进行曝光显影后，G子像素单元上的剩余光刻胶厚度为Hg-Hb·a；对光刻胶和透明阳极层同时进行刻蚀，控制光刻胶刻蚀速率与透明阳极刻蚀速率的比值为a，在B子像素单元上的透明阳极层厚度为Hb时，G子像素单元上的透明阳极层厚度为Hg；去除剩余的光刻胶。

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