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高带宽存储器模块架构 

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申请/专利权人:超威半导体公司

摘要:高带宽双列直插式存储器模块HB‑DIMM包括多个存储器芯片、多个数据缓冲器芯片以及寄存器时钟驱动器RCD电路。数据缓冲器芯片被耦合到存储器芯片的相应集合,并且经由主机总线以存储器芯片的数据速率的两倍的数据速率从存储器芯片传输数据。该RCD电路包括主机总线接口和耦合到多个存储器芯片的存储器接口。该RCD电路通过将命令地址CA信号路由到存储器芯片以用于提供至少两个能够独立寻址的伪通道来实施经由主机总线接收的命令,该RCD电路基于从CA信号导出的芯片标识符CID位来寻址每个相应的伪通道。

主权项:1.一种高带宽双列直插式存储器模块HB-DIMM,所述HB-DIMM适于耦合到主机总线并且包括:多个存储器芯片;多个数据缓冲器芯片,所述多个数据缓冲器芯片耦合到所述存储器芯片的相应集合,并且能够以所述存储器芯片的数据速率的两倍的数据速率经由主机总线从所述存储器芯片传输数据;寄存器时钟驱动器RCD电路,所述RCD电路包括用于耦合到所述主机总线的主机总线接口和耦合到所述多个存储器芯片的存储器接口,所述RCD电路能够通过将命令地址CA信号路由到所述存储器芯片以提供至少两个能够独立寻址的伪通道来实施经由所述主机总线接收的存储器存取命令,所述RCD电路基于从CA信号导出的芯片识别符CID位来寻址每个相应伪通道。

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