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申请/专利权人：广东金戈新材料股份有限公司

摘要：本发明公开了一种具有核壳结构的SiC@NiONi3N吸波材料的制备方法，通过在SiC表面包覆一层NiONi3N层，解决了传统SiC基材料吸波机理单一的问题。该方法包括四个主要步骤：首先对SiC进行预处理，包括清洗和刻蚀，以去除表面杂质；其次在惰性气体气氛中，将刻蚀后的SiC与Ni在三颈烧瓶中加热搅拌形成SiC@Ni复合材料；然后在空气气氛下煅烧SiC@Ni，使Ni氧化成NiO，得到SiC@NiO复合材料；再将SiC@NiO在氨气气氛中煅烧，得到具有核壳结构的SiC@NiONi3N吸波材料。本发明创新性地在SiC表面构建NiONi3N包覆层，显著提高了SiC的吸波性能。

主权项：1.一种具有核壳结构的SiC@NiONi3N吸波材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1SiC预处理：称取一定量的SiC分散在无水乙醇中，超声清洗30min真空抽滤后放入60℃的烘箱干燥，将干燥后的样品放入氢氧化钠溶液中超声清洗30min，将样品滤洗至滤液的PH＝7后放入60℃的烘箱干燥，取干燥后的样品放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中在磁力搅棒器上60℃搅拌24h，转速为100-400rpm，自然冷却至室温后放入超声波机超声2h，用高纯水洗涤抽滤后置于烘箱中60℃下干燥12h后备用；2SiC@Ni的制备：按照一定的摩尔比取一定量步骤1预处理的SiC和Ni粉放入三颈烧瓶中，在惰性气体气氛下加热搅拌0.5-4h，转速为200-600rpm，温度为60-120℃，待反应结束后自然冷却至室温，得到SiC@Ni；3SiC@NiO的制备：将步骤2所制备的SiC@Ni置于坩埚中，随后放入煅烧炉中，在空气气氛中按照5-10℃min的升温速度在450-860℃下煅烧4-6h，自然冷却至室温，得到具有核壳结构的SiC@NiO粉体；4SiC@NiONi3N的制备：将步骤3制得的SiC@NiO粉体置于坩埚中，随后放入煅烧炉中，通入氨气，按照5-10℃min的升温速度在300-320℃下煅烧2-8h，以1℃min的降温速度降至100℃并保温1-2h，随后自然降至室温，得到以SiC为核，以NiONi3N为壳的SiC@NiONi3N粉体。

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