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申请/专利权人：上海壁仞科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，属于集成电路技术领域，所述方法包括：识别每一芯片金属层的电源线和通孔，得到实际电源物理版图；将每一芯片金属层中的所有通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到预期电源物理版图；比较实际电源物理版图和预期电源物理版图，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果。本发明通过扩展通孔图形，获取预期电源物理版图，提高了对芯片的实际电源物理版图检测的效率。通过比较预期电源物理版图和实际电源物理版图，识别电源线的缺陷，实现了同时识别电源线的缺陷和通孔缺陷，使得芯片电源物理版图的缺陷检测更加全面。
主权项：1.一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，应用于物理验证工具，包括：识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，得到每一所述芯片金属层的实际电源物理版图；将每一所述芯片金属层中的所有所述通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一所述芯片金属层的预期电源物理版图；比较每一所述芯片金属层的所述实际电源物理版图和所述预期电源物理版图，根据比较结果得到所述实际电源物理版图中所述电源线的缺陷检测结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海壁仞科技股份有限公司 芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、设备及介质
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