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申请/专利权人：浙江长江汽车电子有限公司
摘要：本发明公开了一种NMOS管栅源快速放电电路，包括依次连接的MCU、快速放电电路、NMOS管Q2以及电机，NMOS管Q2的漏极与电机连接，NMOS管Q2的源极接地，NMOS管Q2的栅极与快速放电电路连接，快速放电电路包括二极管D1、三极管Q1以及电阻R2，二极管D1的两端并联三极管Q1，三极管Q1的基极接二极管D1的正极，三极管Q1的集电极串联电阻R2且与二极管D1的负极连接，三极管Q1的发射极接地，本发明采用旁路泄流法将栅源结电容的电荷快速释放掉，实现场效应管快速放电的效果，能够支持更高的PWM驱动频率及占空比控制精度问题，而且能够避免MCU损坏。
主权项：1.一种NMOS管栅源快速放电电路，包括依次连接的MCU、快速放电电路、NMOS管Q2以及电机，其特征在于：所述NMOS管Q2的漏极与电机连接，所述NMOS管Q2的源极接地，所述NMOS管Q2的栅极与快速放电电路连接，所述快速放电电路包括二极管D1、三极管Q1以及电阻R2，所述二极管D1的两端并联三极管Q1，三极管Q1的基极接二极管D1的正极，三极管Q1的集电极串联电阻R2且与二极管D1的负极连接，三极管Q1的发射极接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江长江汽车电子有限公司 一种NMOS管栅源快速放电电路
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