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申请/专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司
摘要：本公开涉及ALD设备技术领域，尤其涉及一种ALD装置反应腔室的密封结构及ALD装置。本公开提供了一种ALD装置反应腔室的密封结构，包括反应内腔本体、第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈设置在所述反应内腔本体的一表面上，所述第一密封圈设置在所述第二密封圈的围绕范围内，且所述第一密封圈和所述第二密封圈之间形成抽真空通道，所述抽真空通道开设有抽真空气孔。通过实施本公开的技术方案，能够得到更好的抽真空效果，并且能够在单一密封圈破损的情况之下也能够继续实现真空效果，并且通过抽真空的数据判断出密封圈的破损情况。
主权项：1.一种ALD装置反应腔室的密封结构,其特征在于，包括反应内腔本体、第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈设置在所述反应内腔本体的一表面上，其中，所述第一密封圈设置在所述第二密封圈的围绕范围内，且所述第一密封圈和所述第二密封圈之间形成抽真空通道，所述抽真空通道开设有抽真空气孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 嘉兴科民电子设备技术有限公司 ALD装置反应腔室的密封结构及ALD装置
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