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申请/专利权人：通威太阳能(安徽)有限公司
摘要：本发明提供了一种微晶片的返工处理方法，包括以下步骤：提供微晶片，所述微晶片包括硅片、以及依次层叠于所述硅片表面上的本征非晶硅薄膜和微晶硅薄膜，并将所述微晶片在320℃～380℃的温度下进行预处理，使所述微晶硅薄膜中的晶粒松动错位，得到微晶片中间体；采用含有第一碱性试剂的第一粗抛处理液对所述微晶片中间体进行第一次粗抛处理，去除所述微晶片中间体中的本征非晶硅薄膜和微晶硅薄膜，得到第一硅片前体；采用含有第二碱性试剂的第二粗抛处理液对所述第一硅片前体进行第二次粗抛处理，修复所述第一硅片前体的表面，得到第二硅片前体；以及对所述第二硅片前体进行制绒。本发明解决了现有的返工工艺无法完全去除微晶硅薄膜的问题。
主权项：1.一种微晶片的返工处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供微晶片，所述微晶片包括硅片、以及依次层叠于所述硅片表面上的本征非晶硅薄膜和微晶硅薄膜，并将所述微晶片在320℃～380℃的温度下进行预处理，使所述微晶硅薄膜中的晶粒松动错位，得到微晶片中间体；采用含有第一碱性试剂的第一粗抛处理液对所述微晶片中间体进行第一次粗抛处理，去除所述微晶片中间体中的本征非晶硅薄膜和微晶硅薄膜，得到第一硅片前体；采用含有第二碱性试剂的第二粗抛处理液对所述第一硅片前体进行第二次粗抛处理，修复所述第一硅片前体的表面，得到第二硅片前体，其中，所述第二碱性试剂在所述第二粗抛处理液的浓度小于所述第一碱性试剂在所述第一粗抛处理液中的浓度；以及对所述第二硅片前体进行制绒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 通威太阳能(安徽)有限公司 微晶片的返工处理方法
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