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一种抗高功率微波热烧毁的Vivaldi天线单元及阵列 

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申请/专利权人:中国船舶集团有限公司第七二三研究所

摘要:本申请提供了一种抗高功率微波热烧毁的Vivaldi天线单元及阵列。天线单元包括:两层微波介质基板;印制在微波介质基板两侧的Vivaldi天线;印制在微波介质基板中间的四节阻抗渐变巴伦,与Vivaldi天线缝隙辐射槽上下交叠的部分产生互耦;带有插槽和馈电通孔的馈电基板;用于给天线馈电且与阻抗渐变巴伦相连的同轴连接器;填充在Vivaldi天线缝隙辐射槽等宽部位的二氧化钒薄膜。被高功率微波照射前,二氧化钒薄膜处于绝缘态,天线正常工作;当被高功率微波照射时,到温度超过68℃时,二氧化钒薄膜变成导体。本发明通过高功率微波的热效应改变二氧化钒薄膜的电效应和Vivaldi天线的工作状态,实现对高功率微波信号强度的限幅。

主权项:1.一种抗高功率微波热烧毁的Vivaldi天线单元,其特征在于,包括:两层微波介质板;微波介质板包括第一微波介质基板2以及第二微波介质板4,均由两层介电常数均为2.2的介质基板压合而成;天线辐射贴片,包括第一辐射贴片1和第二辐射贴片5,分别印制在两层微波介质基板的两侧,具有相同指数渐变槽;天线辐射贴片包括圆形耦合终端、等宽辐射槽和渐变辐射槽;阻抗渐变巴伦3,印制在两层微波介质基板之间,包括射频信号输入端、多节阻抗渐变线和扇形阻抗匹配终端;馈电底板8,包括用于固定微波介质基板的插槽和用于放置同轴连接器的馈电通孔;同轴连接器9,位于阻抗渐变巴伦3的射频信号输入端,嵌入于馈电底板8内部;二氧化钒薄膜包括第一二氧化钒薄膜6以及第二二氧化钒薄膜7,分别填充在辐射贴片的缝隙辐射槽处,实现有无高功率微波照射情况下Vivaldi天线辐射状态的切换。

全文数据:

权利要求:

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