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申请/专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司

摘要：本发明涉及一种隔离型高速输出接口电路的物理实现方法，本发明包括以下步骤：1高速输出MOS管的最小根单元设计；2高速输出接口电路的隔离与组合设计。本发明在有效实现高速输出接口电路功能的基础上，同时可保持良好的隔离性，降低噪声影响，具有散热好，保护芯片内部电路，增加设计可靠性，可提高器件对称匹配性及增加高速输出接口电路ESD防护能力的优点。

主权项：1.一种隔离型高速输出接口电路的物理实现方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1高速输出MOS管的最小根单元设计；1.1在高速输出接口电路中，直连PAD的输出端分为MOS管的D端和S端两种；输出MOS管设计为一端宽，一端窄；为保障宽度在内，窄端在两侧的布局，最小根单元的建立以Finger＝2为准，高速输出接口电路中所有的MOS管Finger必须为双数；1.2以满足高速输出接口电路中同类器件N型或P型的过电流要求为基础，S端和D端找到最小公共根，拆分为最小根单元，器件输出端的宽度为另一端宽度的4-5倍；同类器件使用最小公共根可以简化设计，达到最少设计一种，最多设计两种最小根单元,即能覆盖高速输出接口电路的全部设计需求；1.3保持CT孔设计为在D端及S端的正中间一竖列,调整Poly到宽端CT孔的间距为Poly到窄端CT孔的间距宽度的4-5倍，CT孔过电流能力预留20％-30％；1.4Active上的这一列CT孔，间距要完全一致，用来保持均匀性；在上下靠近Active边界的区域，均去除4-5个孔，从而拉大孔到Active边界的距离，放大到衬底接触的间距；1.5根据具体工艺选用的所有金属层叠放在一起布局，使金属的寄生电阻相同，避免开启不均匀；这里窄端Metal允许超出窄端Active设计；1.6金属层之间的连接孔均匀分布在金属区域内，个数的设置应大于符合具体工艺孔的过电流能力的10％-20％，多层孔完全重复叠加分布；1.7将覆盖在D端和S端的金属块每个直角切成两个135度的角，用来避免尖角放电；1.8MOS管的G端上下均打两个孔，使用Metal1完成连接；2高速输出接口电路的隔离与组合设计；2.1以高速输出MOS管的最小根单元为底层模块，根据具体高速输出接口电路，将衬底电位相同，一端接输出，另一端共用的同类型MOS管布局在一个隔离区内，在保障隔离的同时增强匹配性，减小面积；2.2在隔离区内层次化调用最小根单元，匹配具体电路器件Finger数，G端采用Metal1围环的方式连接；2.3根据高速输出接口电路的类型，进行物理设计。

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