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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开了一种二维材料法珀型点式光纤传感器的制备方法，包括如下步骤：裁剪二维材料、固定二维材料、旋涂支撑材料、裁剪成小块、刻蚀二维材料生长基底、清洗支撑材料覆盖保护的二维材料、捞取支撑材料覆盖保护的二维材料、控温烘烤、使覆盖有二维材料的光纤陶瓷插芯端面微浸入支撑材料去除溶剂中、去除支撑材料、使用低表面张力溶剂置换去除溶、分离吹干后取下光纤陶瓷插芯、装配单模光纤和光纤陶瓷插芯。本发明应用于光纤传感领域，可以减少器件制备过程中二维材料的破损率，显著提高二维材料法珀型点式光纤传感器制备成功率，可推广至二维材料法珀型点式光纤传感器规模化制备。
主权项：1.一种二维材料法珀型点式光纤传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，根据件制备的数量，裁剪合适尺寸单层或多层人工生长的二维材料；步骤2，将二维材料固定于支撑平台上，并将支撑平台固定于匀胶机上，准备旋涂；步骤3，在二维材料上均匀旋涂一层高分子支撑材料，并干燥；步骤4，取下支撑材料覆盖保护的二维材料并剪去边缘，根据器件制备的数量，裁剪成相等数量的小块；步骤5，将小块支撑材料覆盖保护的二维材料置于刻蚀液中，去除二维材料生长基底；步骤6，清洗支撑材料覆盖保护的二维材料，去除表面有机和金属污染物后，将支撑材料覆盖保护的二维材料保存于去离子水中；步骤7，用光纤陶瓷插芯捞取支撑材料覆盖保护的二维材料，使二维材料覆盖在光纤陶瓷插芯端面圆孔上方；步骤8，对光纤陶瓷插芯上支撑材料覆盖保护的二维材料进行控温烘烤；步骤9，将光纤陶瓷插芯固定于样品座，然后翻转，使覆盖有二维材料的光纤陶瓷插芯端面微浸入支撑材料去除溶剂中；步骤10，保持浸入液面深度不变，不断补充去除溶剂，直至支撑材料全部去除；步骤11，保持浸入液面深度不变，使用低表面张力溶剂置换去除溶剂；步骤12，使光纤陶瓷插芯端面与溶液分离，取下样品座，氮气吹干后取下光纤陶瓷插芯；步骤13，装配单模光纤和光纤陶瓷插芯。
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百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种二维材料法珀型点式光纤传感器的制备方法
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