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申请/专利权人：东海炭素株式会社
摘要：一种晶圆顶针，其是在半导体制造装置内的承载盘的穿通孔中沿上下方向可移动地穿通、用于使载置于该承载盘的硅晶圆升降的晶圆顶针，所述晶圆顶针具有：玻璃碳制的棒状的基材；和利用CVD法形成且覆盖该基材的表面的SiC膜，所述晶圆顶针的至少与承载盘的穿通孔的内侧的滑动部被该SiC膜所覆盖，用扫描型电子显微镜观察该SiC膜的表面时，观察视野的该晶圆顶针的表面全部被SiC颗粒所覆盖，且观察视野中粒径为2.00μm以下的SiC小颗粒的观察面积相对于该SiC膜的总覆盖面积的比率为50％以上，所述晶圆顶针的与硅晶圆的抵接部未被SiC膜所覆盖。根据本发明，可以提供：SiC在成膜后的冷却时，不易引起起因于SiC膜与玻璃碳的热膨胀率之差的SiC膜的破裂的晶圆顶针。
主权项：1.一种晶圆顶针，其特征在于，其是在半导体制造装置内的承载盘的穿通孔中沿上下方向可移动地穿通、用于使载置于该承载盘的硅晶圆升降的晶圆顶针，所述晶圆顶针具有：玻璃碳制的棒状的基材；和利用CVD法形成且覆盖该基材的表面的SiC膜，所述晶圆顶针的至少与承载盘的穿通孔的内侧的滑动部被该SiC膜所覆盖，用扫描型电子显微镜观察该SiC膜的表面时，观察视野的该晶圆顶针的表面全部被SiC颗粒所覆盖，且观察视野中粒径为2.00μm以下的SiC小颗粒的观察面积相对于该SiC膜的总覆盖面积的比率为50％以上，所述晶圆顶针的与硅晶圆的抵接部未被SiC膜所覆盖。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东海炭素株式会社 晶圆顶针和覆盖SiC膜的玻璃碳材
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