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一种无霍尔BLDC反电势检测自识别电路 

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申请/专利权人:无锡晶诚科技有限公司

摘要:本实用新型提供一种无霍尔BLDC反电势检测自识别电路,包括反电势单元和主控单元,还包括电流采样单元、欠压检测及硬件过流保护单元、驱动电路单元和BUCK电源单元。一种无霍尔BLDC反电势检测自识别电路,据U相反电势检测AD值、V相反电势检测AD值和W相反电势检测AD值,单片机程序构造虚拟中心点,不再使用比较器元器件减低PCBA成本,不用在BLDC中装入霍尔元件进行检测,方便BLDC的装配。

主权项:1.一种无霍尔BLDC反电势检测自识别电路,其特征在于:包括反电势单元和主控单元,所述主控单元包括主控芯片U3、电阻R22、电阻R23、电阻Rr1、电容C10、电容C11、电容C16、电容Cr1和二极管LED1,所述主控芯片U3的PB8引脚串联所述电阻R23后连接所述二极管LED1的负极,所述二极管LED1的正极连接+3.3V,所述主控芯片U3的BOOT0引脚串联所述电阻R22后接地,所述主控芯片U3的VDD引脚分别连接所述电容C16的一端和接+3.3V,所述电容C16的另一端接地,所述主控芯片U3的VSS引脚分解连接所述电容C10的一端和接地,所述电容C10的另一端连接+3.3V,所述电容C11的一端接地,所述电容C16的另一端分别连接+3.3V和所述主控芯片U3的VDDA引脚,所述电阻Rr1的一端接+3.3V,所述电阻Rr1的另一端分别连接所述电容Cr1的一端和所述主控芯片U3的NRST引脚,所述电容Cr1的另一端接地,所述反电势单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5和电容C6,所述电阻R4、电阻R5、电阻R6的一端均与所述主控芯片U3的PB4引脚相连,所述电阻R4的另一端连接所述三极管Q4的基极,所述三极管Q4的集电极依次串联所述电阻R10、所述电容C1和所述电阻R16后与所述主控芯片U3的PA3引脚相连,所述电阻R5的另一端连接所述三极管Q5的基极,所述三极管Q5的集电极依次串联所述电阻R11、所述电容C2和所述电阻R17后与所述主控芯片U3的PA4引脚相连,所述电阻R6的另一端连接所述三极管Q6的基极,所述三极管Q6的集电极依次串联所述电阻R12、所述电容C3和所述电阻R18后与所述主控芯片U3的PA5引脚相连,所述三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6的发射极均接地,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3的一端均与所述主控芯片U3的PB3引脚相连,所述电阻R1的另一端连接所述三极管Q1的基极,所述三极管Q1的集电极串联所述电阻R7后分别连接所述电阻R19的一端、所述电阻R13的一端和所述电容C4的一端,所述电阻R19的另一端和所述电容C4的另一端均接地,所述电阻R13的另一端输出U相反电势,所述三极管Q1的发射极接地,所述电阻R2的另一端连接所述三极管Q2的基极,所述三极管Q2的集电极串联所述电阻R8后分别连接所述电阻R20的一端、所述电阻R14的一端和所述电容C5的一端,所述电阻R20的另一端和所述电容C5的另一端均接地,所述电阻R14的另一端输出V相反电势,所述三极管Q2的发射极接地,所述电阻R3的另一端连接所述三极管Q3的基极,所述三极管Q3的集电极串联所述电阻R9后分别连接所述电阻R21的一端、所述电阻R15的一端和所述电容C6的一端,所述电阻R21的另一端和所述电容C6的另一端均接地,所述电阻R15的另一端输出W相反电势,所述三极管Q3的发射极接地。

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权利要求:

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