龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种气相生长制备枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜的方法，首先通过反溶剂法制备出作为前驱体的CsPbBr3单晶，然后将其置于管式炉的加热区，同时将衬底置于载气下游，加热区间外的冷却区域，待管式炉温度稳定后将衬底推入加热管中，并且保持距离前驱体12～15cm的位置，然后维持管内温度继续反应，制得枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜。本发明制备得到的枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜中CsPbBr3为立方相，相比传统液相方法，没有分相问题，无有机配体使用，理论上具有更高的比表面积，同时该枝杈状CsPbBr3纳米薄膜还具有较好的稳定性，可放置于空气中1个月以上，保留原XRD峰不变。
主权项：1.一种气相生长制备枝杈状立方相CsPbBr3纳米晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）制备CsPbBr3单晶，作为前驱体备用；制备CsPbBr3单晶时将摩尔比为1:1的CsBr和PbBr2溶解于DMSO中，通过反溶剂法制备得到CsPbBr3单晶；2）将步骤1）制得的前驱体粉碎后置于管式炉的加热区，将衬底置于管式加热炉的载气下游、加热区外的冷却区，然后将管式炉升温至350~400℃，稳定1分钟；管式炉中的载气为Ar气，载气压力为100mTorr，载气流速为18sccm；3）将衬底推入管式炉的加热管中，距离前驱体12~15cm的位置，使气态前驱体能够沉积到衬底上，维持管式炉温度为350~400℃，反应1~4小时，自然冷却降温，制得枝杈状立方相CsPbBr3纳米晶薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种气相生长制备枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号