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一种低应力大电流IGBT芯片搭桥 

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申请/专利权人:缙云县兰普半导体有限公司

摘要:本实用新型是一种低应力大电流IGBT芯片搭桥,包括搭桥本体,所述搭桥本体上设有平行于电流流动方向开设的槽体。本实用新型的低应力大电流IGBT芯片搭桥在利用一体成型的搭桥本体提高了电流的流量,同时利用搭桥本体上的槽体缓解了应力过大产生脱焊等问题。

主权项:1.一种低应力大电流IGBT芯片搭桥,包括搭桥本体1,其特征在于:所述搭桥本体上设有平行于电流流动方向开设的槽体2;所述搭桥本体1包括两端的板状的焊接端11和中间拱形的连接端12,所述焊接端11和连接端12一体成型。

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权利要求:

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