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晶圆处理用粘结膜 

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申请/专利权人:利诺士尖端材料有限公司

摘要:本发明的晶圆处理用粘结膜,包括:多层基材,包括上部基材层及下部基材层;第一粘结层,配置于上述上部基材层上;以及第二粘结层,配置于上述上部基材层与下部基材层之间,上述晶圆处理用粘结膜满足70~150MPa范围的拉伸强度,并通过调节上述第一粘结层及第二粘结层的流动性,减少或消除在背面研磨工序中产生的应力剪切应力,从而防止晶圆的破损,抑制卷曲,并通过防止切割的半导体芯片的移动或碰撞及产生裂纹的现象使得工艺性非常优秀。

主权项:1.一种晶圆处理用粘结膜,其特征在于,包括:多层基材,包括上部基材层及下部基材层;第一粘结层,配置于上述上部基材层上;以及第二粘结层,配置于上述上部基材层与下部基材层之间,上述下部基材层及上部基材层分别包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯组成的组中的一种以上,上述晶圆处理用粘结膜满足如下式1及式2,且拉伸强度为70~150MPa:式1:0.2≤C1C2≤1.4,在上述式1中,C1是在30℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量,C2是在30℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量,上述蠕变量的单位为μm,式2:0.2≤C1'C2'≤1.4,在上述式2中,C1'是在60℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量,C2'是在60℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量,上述蠕变量的单位为μm。

全文数据:

权利要求:

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