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申请/专利权人：南京师范大学
摘要：本发明公开了一种基于GaAs技术采用微带和半模SIW混合结构的宽带滤波芯片，包括主要材料为GaAs的介质基板以及整体电路结构，整体电路结构包括第一半模腔体、第二半模腔体、耦合窗、耦合窗中有第一四分之一波长微带谐振器和第二四分之一波长微带谐振器、第一馈电微带线、第二馈电微带线、地‑信号‑地GSG输入端口、地‑信号‑地GSG输出端口、起到端口匹配作用的第一阻抗匹配结构和第二阻抗匹配结构、接地柱。该微带和半模SIW混合结构的宽带滤波芯片结构简单，制作工艺先进，在减小电路尺寸和频率选择性上有优越表现。
主权项：1.一种基于GaAs技术采用微带和半模SIW混合结构的宽带滤波芯片，其特征在于，该宽带滤波芯片包括介质基板100，所述介质基板100上表面设有第一半模腔体1、第二半模腔体2，所述第一半模腔体1和第二半模腔体2合并中间位置形成耦合窗8，所述耦合窗8用于实现第一半模腔体1和第二半模腔体2之间的耦合；所述耦合窗8中放置有第一四分之一波长微带谐振器4和第二四分之一波长微带谐振器5，并且，第一半模腔体1的左侧开有第一凹口，作为第一阻抗匹配结构9，第二半模腔体2的右侧开有第二凹口，作为第二阻抗匹配结构10，所述第一阻抗匹配结构9通过第一馈电微带线6与输入端口11连接，所述第一阻抗匹配结构9实现输入端口11和第一半模腔体1的阻抗匹配；所述第二阻抗匹配结构10通过第二馈电微带线7与输出端口12连接，所述第二阻抗匹配结构10实现输出端口12和第二半模腔体2的阻抗匹配，并且，所述输入端口11和所述输出端口12均为地-信号-地GSG结构，所述第一半模腔体1和所述第二半模腔体2合并形成第一间隙和第二间隙，第一间隙位于耦合窗8的正下方，第二间隙位于耦合窗8的正上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京师范大学 一种基于GaAs技术采用微带和半模SIW混合结构的宽带滤波芯片
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