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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
摘要：公开了三唑基和或三唑鎓基聚合物的合成。化学机械平面化CMP浆料包含磨料；活化剂；氧化剂；包含三唑基和或三唑鎓基聚合物的添加剂；和水。在CMP浆料中使用合成的三唑基和或三唑鎓基聚合物在高选择性钨浆料中减少了凹陷和侵蚀。
主权项：1.一种化学机械平面化组合物，其包含：磨料，其选自无机氧化物颗粒、金属氧化物涂覆的无机氧化物颗粒、有机聚合物颗粒、金属氧化物涂覆的有机聚合物颗粒、表面改性的无机氧化物颗粒及其组合；活化剂；氧化剂；包含三唑基或三唑鎓基聚合物或共聚物的添加剂；水；以及任选地腐蚀抑制剂；凹陷减少剂；稳定剂；pH调节剂；其中所述三唑基或三唑鎓基聚合物或共聚物：1由具有至少一个三唑或三唑鎓基团并包含选自以下的结构的至少一种单体形成： 其中：P1是可聚合基团；Sp1是间隔基团或单键；R1、R2各自独立地选自H、取代或未取代的脂族、芳族、杂芳族和硅氧烷部分，其中不是在芳族或杂芳族环中的CH2可以以没有杂原子彼此连接的方式被O、S或N替代，并且其中氢可以被F、Cl或CN替代；R3为取代或未取代的，直链、环状或支链脂族基团；或R3具有式Q-Sp2-P2Q其中：Sp2是间隔基团或单键，其可以与Sp1相同或不同；并且选自取代或未取代的，直链、环状或支链脂族基团，其中CH2可以以没有杂原子彼此连接的方式被O、S或N替代，并且其中氢可以被F、Cl或CN替代；和P2为可与P1相同或不同的可聚合基团；并且是含有C＝C双键的基团；及X-是阴离子抗衡离子；或2具有选自以下的结构的重复单元： 其中：L是间隔基团或单键；R1、R2和R3各自独立地选自H或取代或未取代的脂族、芳族、杂芳族或硅氧烷部分，其中不是在芳族或杂芳族环中的CH2可以以没有杂原子彼此连接的方式被O、S或N替代，并且其中氢可以被F、Cl或CN替代；n为1至6000的整数；和X-是阴离子抗衡离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 作为化学机械平面化浆料的添加剂的三唑基和/或三唑鎓基聚合物和共聚物
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