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申请/专利权人:西安理工大学
摘要:本发明公开了三维Ti3C2表面构筑含磷空位的Ni掺杂CoP的制备方法,先在三维多孔褶皱Ti3C2表面生长纳米片状NiCo‑LDH,然后经过磷化得到Ni掺杂CoP,最后通过调控还原时间引入磷空位,制备得到三维Ni‑CoP1‑xTi3C2电极材料。本发明具有磷空位的Ni‑CoP1‑xTi3C2电极材料在碱性电解质中具有超高的质量比容量、优异的倍率性能和较好的循环稳定,并且具有合成简单,操作容易等优点,能够为超级电容器的发展提供创新技术支持和理论支撑。
主权项:1.三维Ti3C2表面构筑含磷空位的Ni掺杂CoP的制备方法,其特征在于,先在三维多孔褶皱Ti3C2表面生长纳米片状NiCo-LDH,然后经过磷化得到Ni掺杂CoP,最后通过调控还原时间引入磷空位,制备得到三维Ni-CoP1-xTi3C2电极材料。
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百度查询: 西安理工大学 三维Ti3C2表面构筑含磷空位的Ni掺杂CoP的制备方法
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