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申请/专利权人：深圳市埃芯半导体科技有限公司
申请日：2023-04-13
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116609370B
主分类号：G01N23/2055
分类号：G01N23/2055;H01L21/66
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.09.05#实质审查的生效;2023.08.18#公开
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了晶圆量测方法和电子设备，其中，晶圆量测方法包括：获取待测晶圆的衍射图，衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度；根据各像素点的光强度，从衍射图中确定目标像素点，以及根据目标像素点和预设检测配置信息，确定衍射图中的检测区域；根据检测区域中各像素点的光强分布情况，确定待测晶圆的检测结果，检测结果用于指示待测晶圆是否检测合格。本申请可以基于待测晶圆的衍射图自动判断待测晶圆是否检测合格，有助于提高晶圆检测效率。
主权项：1.一种晶圆量测方法，其特征在于，所述方法包括：获取待测晶圆的衍射图，所述衍射图中各像素点的像素值用于指示光强度；根据各像素点的光强度，从所述衍射图中确定目标像素点，以及根据所述目标像素点和预设检测配置信息，确定所述衍射图中的检测区域；根据所述检测区域中各像素点的光强分布情况，确定所述待测晶圆的检测结果，所述检测结果用于指示所述待测晶圆是否检测合格；其中，所述根据所述检测区域中各像素点的光强分布情况，确定所述待测晶圆的检测结果，包括：根据所述检测区域中各像素点的光强度，生成所述检测区域的光强分布曲线，其中，所述光强分布曲线上各曲线点的取值为相应曲线点在所述检测区域中对应的多个像素点的光强度的和值，曲线点的坐标与相对应的多个像素点的坐标相适配；根据所述光强分布曲线，生成用于拟合所述光强分布曲线的光谱拟合曲线集，以及根据所述光谱拟合曲线集中各光谱拟合曲线的曲线参数，确定所述待测晶圆的应力参数和或成分参数，其中，所述检测结果包括所述应力参数和或成分参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市埃芯半导体科技有限公司 晶圆量测方法和电子设备
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