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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：提出一种电力电子装置（1），包括：半导体开关结构（2），其中半导体开关结构（2）在正向导通状态下的稳态电流承载能力被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下在正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分；二极管结构（3），被反并联地电连接于半导体开关结构（2），在电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流的至少一部分；以及反向导通结构（4）。在电力电子装置（1）的反向模式下，如果反向电流（I2）的量等于或者小于第一临界反向电流值（IRC1），则反向导通结构（4）传导少于10%的反向电流（I2）。如果反向电流（I2）的量等于或者大于第二临界反向电流值（IRC2），则反向导通结构（4）传导至少20%的反向电流（I2）。
主权项：1.一种电力电子装置1，被配置用于在所述电力电子装置1的正向模式下传导正向电流I1并且用于在所述电力电子装置1的反向模式下传导反向电流I2，所述电力电子装置1包括：-半导体开关结构2，其被配置用于承担正向导通状态，其中在正向导通状态下所述半导体开关结构2的稳态电流承载能力被表征为标称电流Inom，并且其中在正向导通状态下所述半导体开关结构2被配置用于在所述电力电子装置1的正向电流模式下传导正向电流I1的至少一部分；-二极管结构3，其被反并联地电连接于所述半导体开关结构2并且被配置用于在所述电力电子装置1的反向模式下传导反向电流I2的至少一部分；以及-反向导通结构4，其与所述半导体开关结构2单片地集成；其中，在所述电力电子装置1的反向模式下，如果反向电流I2的量小于或者等于第一临界反向电流值IRC1，则所述反向导通结构4传导少于10％的反向电流I2，所述第一临界反向电流值IRC1至少为标称电流Inom，以及其中如果反向电流I2的量大于或者等于第二临界反向电流值IRC2，则所述反向导通结构4传导至少20％的反向电流I2，所述第二临界反向电流值IRC2至多为十倍的标称电流Inom并且大于所述第一临界反向电流值IRC1。
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百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 电力电子装置
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