申请/专利权人：美满芯盛(杭州)微电子有限公司

申请日：2021-09-02

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN113647696B

主分类号：A24F40/46

分类号：A24F40/46;A24F40/485;A24F40/70

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本发明公开了一种MEMS硅基膜孔雾化芯，属于液体加热雾化芯技术领域，包括硅衬底片、至少一层膜孔机构和金属电极，至少一层所述膜孔机构固定连接于所述硅衬底片的顶面，所述金属电极固定连接于所述膜孔机构的顶部，所述硅衬底片上开设有至少一个导液孔，所述导液孔连通所述硅衬底片的底部和所述膜孔机构的顶部；本发明采用多层膜孔机构，有利于整体厚度的分解，使得一级雾化孔或二级雾化孔的开孔厚度有所减小，降低了雾化孔的开孔难度，实现雾化孔的小孔径非直通孔开孔，从而具有良好的锁液、储液功能；雾化孔的开孔制造工艺可控，一致性高，均匀性好，解决了局部过热、干烧碳化的问题。

主权项：1.一种MEMS硅基膜孔雾化芯，其特征在于：包括硅衬底片1、至少一层膜孔机构2和金属电极3，至少一层所述膜孔机构2固定连接于所述硅衬底片1的顶面，所述金属电极3固定连接于所述膜孔机构2的顶部，所述硅衬底片1上开设有至少一个导液孔4，所述导液孔4通过横向流道13连通所述硅衬底片1的底部和所述膜孔机构2的顶部，所述横向流道13位于所述膜孔机构2内；所述膜孔机构2包括第一层氧化硅5和第一层多晶硅6，所述第一层氧化硅5固定连接在所述硅衬底片1上，所述第一层多晶硅6固定连接在所述第一层氧化硅5上，所述第一层氧化硅5内设置有一级微流道储液仓7，所述一级微流道储液仓7连通所述导液孔4，所述第一层多晶硅6上开设有多个一级雾化孔8，所述一级雾化孔8连通所述一级微流道储液仓7与所述第一层多晶硅6的顶部；所述导液孔4与所述一级雾化孔8交错排布；所述膜孔机构2为两层，位于上方的膜孔机构2包括第二层氧化硅9和第二层多晶硅10，所述第二层氧化硅9固定连接在所述第一层多晶硅6上，所述第二层多晶硅10规定连接在所述第二层氧化硅9上，所述第二层氧化硅9内设置有二级微流道储液仓11，所述二级微流道储液仓11连通所述一级雾化孔8，所述第二层多晶硅10上开设有二级雾化孔12，所述二级雾化孔12连通所述二级微流道储液仓11和所述第二层多晶硅10的顶部；所述一级雾化孔8与所述二级雾化孔12非上下贯穿地交错排布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 一种MEMS硅基膜孔雾化芯及其制造方法

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