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申请/专利权人：锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
申请日：2020-03-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111277227B
主分类号：H03F1/12
分类号：H03F1/12;H03F1/08;H03F1/42;H03F1/56;H03F1/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2022.03.18#著录事项变更;2020.07.07#实质审查的生效;2020.06.12#公开
摘要：本发明公开了一种改善相位特性的共射共基放大电路及信号处理系统，该放大电路包括共射三极管Q1、共基三极管Q2和电容C1，所述共射三极管Q1的基极作为该放大电路的信号输入端，所述共射三极管Q1的集电极与所述共基三极管Q2的发射极连接，所述共射三极管Q1的发射极接地；所述共基三极管Q2的基极上加载控制信号，所述共基三极管Q2的集电极作为该放大电路的信号输出端；所述电容C1的第一极板与所述共基三极管Q2的基极，第二极板与所述共射三极管Q1的发射极共地；所述电容C1用于稳定在射频频段所述共基三极管Q2的基极电压。该电路消除了因共基三极管的基极电压变化而导致寄生电容（Cbc）变化进而影响放大器相位特性的情况，改善了放大电路的相位特性。
主权项：1.一种改善相位特性的共射共基放大电路，其特征在于：该放大电路包括共射三极管Q1、共基三极管Q2、三极管Q3和用于在射频频段稳定所述共基三极管Q2的基极电压的电容C1；所述共射三极管Q1的基极作为该放大电路的信号输入端，集电极与所述共基三极管Q2的发射极连接，发射极接地；所述共基三极管Q2的基极上加载控制信号，集电极作为该放大电路的信号输出端；所述三极管Q3的信号输出端接电源及接所述共射三极管Q1的基极，控制端用于信号输入，低电源端接地；所述电容C1的第一极板连接所述共基三极管Q2的基极，第二极板与所述共射三极管Q1的发射极共地，用于保证所述共基三极管Q2的偏置信号是以共射三极管Q1的地作为参考点，消除因共基三极管的基极电压变化而导致寄生电容变化进而影响放大器相位特性的情况：所述电容C1的电容值小于10pF。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 一种改善相位特性的共射共基放大电路及信号处理系统
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