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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-10-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118301938A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;G11C13/00
优先权：["20230104 KR 10-2023-0001321"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电荷阻挡层的侧表面交替布置的多个分离层和多个栅电极。
主权项：1.一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括：柱；沟道层，围绕柱的侧表面；电荷隧穿层，围绕沟道层的侧表面；电荷捕获层，围绕电荷隧穿层的侧表面并且包括非晶氮氧化物；电荷阻挡层，围绕电荷捕获层的侧表面；以及多个分离层和多个栅电极，围绕电荷阻挡层的侧表面并且沿着电荷阻挡层的侧表面交替地布置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 垂直非易失性存储器装置
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