申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118299418A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336

优先权：["20230103 DE 102023200039.3"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.07.05#公开

摘要：本发明涉及一种垂直场效应晶体管结构，其具有：半导体本体，所述半导体本体具有漂移区，所述漂移区具有第一掺杂类型的第一掺杂；多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，第一沟槽至多具有第一沟槽深度，并且第二沟槽至少具有第二沟槽深度，并且第二沟槽深度比第一沟槽深度长至少50nm；邻接于第一沟槽的每个沟槽底部各一个屏蔽区域，该屏蔽区域具有第二掺杂类型的第二掺杂；以及在所述第一沟槽和第二沟槽的每个沟槽中的各至少一个栅极电极，该栅极电极借助至少一个绝缘电介质至少与相邻的沟槽底部和相邻的沟槽侧壁电绝缘，其中，半导体本体的邻接于第二沟槽的沟槽底部的每个区域仅具有漂移区的第一掺杂而没有第二掺杂。

主权项：1.一种垂直场效应晶体管结构，其具有：半导体本体10，所述半导体本体具有表面10a，其中，在所述半导体本体10中构造有相邻于所述表面10a的有源区12、位于所述有源区12的背离所述表面10a指向的一侧上的通道区14以及位于所述通道区14的背离所述有源区12指向的一侧上的漂移区16，并且所述漂移区16具有第一掺杂类型的第一掺杂；多个第一沟槽18a和多个第二沟槽18b，其中，在每两个相邻的第一沟槽18a之间各有所述第二沟槽18b中的一个第二沟槽，并且在每两个相邻的第二沟槽18b之间各有所述第一沟槽18a中的一个第一沟槽，并且所述第一沟槽和第二沟槽18a，18b中的每个沟槽从所述半导体本体10的所述表面10a出发延伸至所述半导体本体的位于所述漂移区16内部的沟槽底部20a，20b，其中，所述第一沟槽18a至多具有第一沟槽深度t1，并且所述第二沟槽18b至少具有第二沟槽深度t2，所述第二沟槽深度t2比所述第一沟槽深度t1长至少50nm；邻接于所述第一沟槽18a的每个沟槽底部20a各一个屏蔽区域22，所述屏蔽区域具有与所述漂移区16的所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二掺杂；以及在所述第一沟槽和第二沟槽18a，18b中的每个沟槽中的各至少一个栅极电极24，其中，所述栅极电极24中的每个栅极电极借助至少一个绝缘电介质26至少与对应的沟槽18a，18b的相邻的沟槽底部20a，20b和相邻的沟槽侧壁28a，28b电绝缘；其特征在于，所述半导体本体10的邻接于所述第二沟槽18b的所述沟槽底部20b的每个区域10b仅具有所述漂移区16的第一掺杂而没有所述第二掺杂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗伯特·博世有限公司 垂直场效应晶体管结构和用于制造垂直场效应晶体管结构的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD