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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了执行ZQ校准的半导体存储器装置及其校准方法。所述半导体存储器装置可包括：阻抗调整垫；虚设下拉驱动器和外部电阻器，并联连接在阻抗调整垫与地之间；递归码生成电路，被配置为在所述半导体存储器装置的阻抗校准操作中通过使用外部电阻器和虚设下拉驱动器作为参考电阻来递归地生成与目标电阻对应的上拉码和下拉码；码寄存器，被配置为存储生成的上拉码和下拉码；以及校准控制逻辑电路，被配置为在调整虚设下拉驱动器的电阻值的同时在阻抗校准操作中的多个步长期间控制递归码生成电路。
主权项：1.一种半导体存储器装置，包括：阻抗调整垫；虚设下拉驱动器和外部电阻器，并联连接在阻抗调整垫与地之间；递归码生成电路，被配置为：在所述半导体存储器装置的阻抗校准操作中，通过使用外部电阻器和虚设下拉驱动器作为参考电阻来递归地生成与目标电阻对应的上拉码和下拉码；码寄存器，被配置为存储生成的上拉码和下拉码；以及校准控制逻辑电路，被配置为：在调整虚设下拉驱动器的电阻值的同时，在阻抗校准操作中的多个步长期间控制递归码生成电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 执行ZQ校准的半导体存储器装置及其校准方法
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