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申请/专利权人：德州仪器公司
摘要：使用仅增强型工艺制造具有足够精度的饱和电流的耗尽型电流源426，用作AC到DC功率转换器的启动电路中的预充电电路。所述耗尽型电流源426可以与氮化镓场效应晶体管FET402以及所述启动电路中使用的电阻式和电容式组件在同一集成电路IC上制造，而不会因需要额外掩模或材料而影响仅增强型制造工艺，与增强型FET在同一IC上制造耗尽型FET则需要额外掩模或材料。所述电流源包含耦合在两个端子428、430之间的电阻式图案化二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG沟道432，以及从所述端子中的一个430延伸并覆在所述沟道的图案化区域上面的一或多个金属场板434、436、438，所述场板434、436、438通过介电层545、468、490与所述沟道432并且与彼此分离。
主权项：1.一种集成电路IC，其包括：双端子耗尽型电流源，其包括：二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG沟道，其耦合在所述耗尽型电流源的第一端子与所述耗尽型电流源的第二端子之间；以及导电电极，其耦合到所述第一端子，所述导电电极在所述2DEG或2DHG沟道的至少一部分上方并且在所述至少一部分上延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德州仪器公司 高电压耗尽型电流源、晶体管和制造方法
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